г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IGW25N120H3FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 50A 326W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 326 W Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
916 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IGW25N120H3FKSA1.jpg
Other Names
SP000674424,IGW25N120H3,IGW25N120H3-ND
Test Condition
600V, 25A, 23Ohm, 15V
Power - Max
326 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 25A
Switching Energy
2.65mJ
Gate Charge
115 nC
Base Product Number
IGW25N120
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
30
Series
TrenchStop®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
27ns/277ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IHW30N135R3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1350V 60A 349W TO247-3, IGBT Trench 1350 V 60 A 349 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRF7506TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8™
Подробнее
Артикул: SDT04S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 4A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: AUIRG4BC30S-S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DISCRETE SWITCHES, IGBT
Подробнее
Артикул: IRFI530NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP, N-Channel 100 V 12A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: IPP037N08N3G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1,
Подробнее