г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

DD1200S17H4_B2 Infineon Technologies

Артикул
DD1200S17H4_B2
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DD1200S17 - RECTIFIER DIODE MODU, Diode
Цена
166 140 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
HTSUS
0000.00.0000
Other Names
INFINFDD1200S17H4_B2,2156-DD1200S17H4_B2
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB33N15D
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 33A TO220AB, N-Channel 150 V 33A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IDP30E60XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO220, Diode Standard 600 V 52.3A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: BC858A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: BGX50AE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BRIDGE RECT 1P 70V 140MA SOT143, Bridge Rectifier Single Phase Standard 70 V Surface Mount PG-SOT-143-3D
Подробнее
Артикул: IRF7492
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO, N-Channel 200 V 3.7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IKP10N60TXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 20A 110W TO220-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 600 V 20 A 110 W Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее

Ваша заявка принята