г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRFR2405 Infineon Technologies

Артикул
AUIRFR2405
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK, N-Channel 55 V 30A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRFR2405.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2430 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
SP001522238
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-PAK (TO-252AA)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7403PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO, N-Channel 30 V 8.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: FF600R12KE4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 600A, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 600 A Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF7854TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 10A 8SO, N-Channel 80 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IKW40T120FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 75A 270W TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 75 A 270 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IMZ120R220M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4, N-Channel 1200 V 13A (Tc) 75W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
Подробнее
Артикул: SDT05S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 5A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее