г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFB3806PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFB3806PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB, N-Channel 60 V 43A (Tc) 71W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
188 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFB3806PBF.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1150 pF @ 50 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001572380
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFB3806
Power Dissipation (Max)
71W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF9530NS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK, P-Channel 100 V 14A (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPB017N10N5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7, N-Channel 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Подробнее
Артикул: BCW65A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRG4PC50WPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 55A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRL3102S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK, N-Channel 20 V 61A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: AUIRFR6215
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK, P-Channel 150 V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее