г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AIDK08S65C5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
AIDK08S65C5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DISCRETE DIODES, Diode
Цена
896 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Series
*
Base Product Number
AIDK08
HTSUS
8541.10.0080
ECCN
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Standard Package
1,000
Other Names
448-AIDK08S65C5ATMA1TR,448-AIDK08S65C5ATMA1CT,448-AIDK08S65C5ATMA1DKR,SP001725146
Part Status
Active
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
RoHS Status
ROHS3 Compliant

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPW90R120C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3, N-Channel 900 V 36A (Tc) 417W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRF7316PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF7756
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.3A 1W Surface Mount 8-TSSOP
Подробнее
Артикул: IRFR4105PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK, N-Channel 55 V 27A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: AUIRFB8405
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB, N-Channel 40 V 120A (Tc) 163W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF3707S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK, N-Channel 30 V 62A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее