г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRF1010ZL Infineon Technologies

Артикул
AUIRF1010ZL
Бренд
Infineon Technologies
Описание
AUIRF1010 - 55V-60V N-CHANNEL AU, N-Channel 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-262
Цена
214 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRF1010ZL.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2840 pF @ 25 V
FET Feature
-
Supplier Device Package
TO-262
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-AUIRF1010ZL-448
Standard Package
1
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Power Dissipation (Max)
140W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSD214SNH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6, N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: IRF150P221XKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3, N-Channel 150 V 186A (Tc) 341W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: FS200R12PT4
Бренд: Infineon Technologies
Описание: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT
Подробнее
Артикул: IRFU3709ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 86A IPAK, N-Channel 30 V 86A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: BC849CW
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: BSS225
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89, N-Channel 600 V 90mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
Подробнее