г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRF1010ZL Infineon Technologies

Артикул
AUIRF1010ZL
Бренд
Infineon Technologies
Описание
AUIRF1010 - 55V-60V N-CHANNEL AU, N-Channel 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-262
Цена
214 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRF1010ZL.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2840 pF @ 25 V
FET Feature
-
Supplier Device Package
TO-262
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-AUIRF1010ZL-448
Standard Package
1
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Power Dissipation (Max)
140W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: AUIRF4104
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 75A TO220, N-Channel 40 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: SGB30N60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 41 A 250 W Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IRF7402PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8SO, N-Channel 20 V 6.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRG4BAC50W-S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 55A 200W SUPER 220, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
Подробнее
Артикул: BSC067N06LS3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IPD50R3K0CEAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3, N-Channel 500 V 1.7A (Tc) 26W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее