г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRF2804S-7P Infineon Technologies

Артикул
AUIRF2804S-7P
Бренд
Infineon Technologies
Описание
AUIRF2804 - 20V-40V N-CHANNEL AU, N-Channel 40 V 240A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Цена
412 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRF2804S-7P.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
240A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.6mOhm @ 160A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6930 pF @ 25 V
FET Feature
-
Supplier Device Package
D2PAK (7-Lead)
Package / Case
TO-263-7, D?Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2156-AUIRF2804S-7P-448
Standard Package
1
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Power Dissipation (Max)
330W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD70R900P7SAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3, N-Channel 700 V 6A (Tc) 30.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRFP250NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC, N-Channel 200 V 30A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRGP4062D-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 48A 250W TO247AD, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: BUZ80A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB, N-Channel 800 V 3.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRGS6B60KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 13A 90W D2PAK, IGBT NPT 600 V 13 A 90 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF7811AVTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO, N-Channel 30 V 10.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее