г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRF3205Z Infineon Technologies

Артикул
AUIRF3205Z
Бренд
Infineon Technologies
Описание
AUIRF3205Z - 55V-60V N-CHANNEL A, N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
165 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRF3205Z.jpg
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 66A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3450 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package
TO-220AB
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-AUIRF3205Z-448
Standard Package
1
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Power Dissipation (Max)
170W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BFP640ESDH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343, RF Transistor NPN 4.7V 50mA 46GHz 200mW Surface Mount PG-SOT343-4-2
Подробнее
Артикул: IPN50R3K0CEATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223, N-Channel 500 V 2.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
Подробнее
Артикул: IRAMX16UP60B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR HYBRID 600V 16A 23PWRSIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 16 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IPC100N04S52R8ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34, N-Channel 40 V 100A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Подробнее
Артикул: IRGB20B60PD1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRGB20B60 - DISCRETE IGBT WITH A, IGBT
Подробнее
Артикул: IRG7PH50K10DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 90A 400W TO247AC, IGBT - 1200 V 90 A 400 W Through Hole TO-247AC
Подробнее