г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRF6218S Infineon Technologies

Артикул
AUIRF6218S
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK, P-Channel 150 V 27A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Цена
231 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRF6218S.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
250W (Tc)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2210 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
SP001516490,2156-AUIRF6218S,INFIRFAUIRF6218S
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
1,000
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
PG-TO263-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD60R360P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3, N-Channel 600 V 9A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRLR2905TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IPP060N06NAKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 17A/45A TO220-3, N-Channel 60 V 17A (Ta), 45A (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: FP25R12W2T4BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: FP25R12 - IGBT MODULE, IGBT Module
Подробнее
Артикул: IRG8P50N120KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 80A 305W TO-247AC, IGBT - 1200 V 80 A 350 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF2807ZS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK, N-Channel 75 V 75A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее