г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRF6218S Infineon Technologies

Артикул
AUIRF6218S
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK, P-Channel 150 V 27A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Цена
231 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRF6218S.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
250W (Tc)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2210 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
SP001516490,2156-AUIRF6218S,INFIRFAUIRF6218S
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
1,000
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
PG-TO263-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB7434PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB, N-Channel 40 V 195A (Tc) 294W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFU3910PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK, N-Channel 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IKCM10H60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MODULE IGBT 600V 10A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: SDT05S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 5A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: IRF7450
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO, N-Channel 200 V 2.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF7904PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.6A, 11A 1.4W, 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее