г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRF6218S Infineon Technologies

Артикул
AUIRF6218S
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK, P-Channel 150 V 27A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Цена
231 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRF6218S.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
250W (Tc)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2210 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
SP001516490,2156-AUIRF6218S,INFIRFAUIRF6218S
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
1,000
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
PG-TO263-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLR3705ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRL3705NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB, N-Channel 55 V 89A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FF400R12KE3HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 580A 2000W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 580 A 2000 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BC858C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 150MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IRGP4063-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 96A 330W TO247AD, IGBT Trench 600 V 96 A 330 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRF7706
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 7A 8TSSOP, P-Channel 30 V 7A (Ta) 1.51W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Подробнее