г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FP25R12W2T4BOMA1 Infineon Technologies

Артикул
FP25R12W2T4BOMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
FP25R12 - IGBT MODULE, IGBT Module
Цена
5 627 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-FP25R12W2T4BOMA1-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFP9140N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 23A TO247AC, P-Channel 100 V 23A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFS4127PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK, N-Channel 200 V 72A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFH5053TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN, N-Channel 100 V 9.3A (Ta), 46A (Tc) 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Подробнее
Артикул: IRLL024NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223, N-Channel 55 V 3.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: IPB60R120C7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3, N-Channel 650 V 19A (Tc) 92W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: FF300R12ME4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 450A 1600W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 450 A 1600 W Chassis Mount Module
Подробнее

Ваша заявка принята