г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRF7309Q Infineon Technologies

Артикул
AUIRF7309Q
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3A 1.4W Surface Mount 8-SOIC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/AUIRF7309Q.jpg
Other Names
SP001522058
Power - Max
1.4W
FET Type
N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 15V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
95
HTSUS
8541.29.0095
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOIC
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IHW20N120R2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 40A 330W TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 40 A 330 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IMZ120R045M1XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4, N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
Подробнее
Артикул: IRFHS8342TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON, N-Channel 30 V 8.8A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount PG-TSDSON-6
Подробнее
Артикул: IRFB7430PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH 40V 195A TO220, N-Channel 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BAR8902LRHE6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2, RF Diode PIN - Single 80V 100 mA 250 mW PG-TSLP-2-7
Подробнее
Артикул: IPP110N20NAAKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3, N-Channel 200 V 88A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее