г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAR8902LRHE6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BAR8902LRHE6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2, RF Diode PIN - Single 80V 100 mA 250 mW PG-TSLP-2-7
Цена
12 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - RF, Диоды - ВЧ
Image
files/BAR8902LRHE6327XTSA1.jpg
Voltage - Peak Reverse (Max)
80V
Capacitance @ Vr, F
0.35pF @ 1V, 1MHz
Power Dissipation (Max)
250 mW
Diode Type
PIN - Single
Current - Max
100 mA
Other Names
BAR 89-02LRH E6327,BAR 89-02LRH E6327-ND,INFINFBAR8902LRHE6327XTSA1,BAR8902LRHE6327XT,SP000051043,BAR8902LRHE6327XTSA1TR,2156-BAR8902LRHE6327XTSA1-ITTR
Standard Package
15,000
HTSUS
8541.10.0070
ECCN
EAR99
REACH Status
REACH Unaffected
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Supplier Device Package
PG-TSLP-2-7
Package / Case
SOD-882
Operating Temperature
150°C (TJ)
Part Status
Obsolete
Package
Tape & Reel (TR)
Series
-
Resistance @ If, F
1.5Ohm @ 10mA, 100MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BUP213
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 32A 200W TO220, IGBT - 1200 V 32 A 200 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: AUIRF7647S2TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET, N-Channel 100 V 5.9A (Ta), 24A (Tc) 2.5W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SC
Подробнее
Артикул: BSZ440N10NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON, N-Channel 100 V 5.3A (Ta), 18A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: IKZ50N65EH5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4, IGBT Trench 650 V 85 A 273 W Through Hole PG-TO247-4
Подробнее
Артикул: IRGP4062D-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 48A 250W TO247AD, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IPB017N08N5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK, N-Channel 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее