г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRF7313QTR Infineon Technologies

Артикул
AUIRF7313QTR
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SO, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A 2.4W Surface Mount 8-SOIC
Цена
379 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/AUIRF7313QTR.jpg
Base Product Number
AUIRF7313
Other Names
SP001519208,AUIRF7313QDKR,AUIRF7313QCT
Power - Max
2.4W
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
755pF @ 25V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
4,000
HTSUS
8541.29.0095
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOIC
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BF999E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23, RF Mosfet N-Channel 10 V 10 mA 45MHz 27dB - PG-SOT23
Подробнее
Артикул: FF300R12KT4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 450A 1600W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 450 A 1600 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IPB200N25N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK, N-Channel 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: SDT05S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 5A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: IRGR4045DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 12A 77W DPAK, IGBT Trench 600 V 12 A 77 W Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRF1312PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 95A TO220AB, N-Channel 80 V 95A (Tc) 3.8W (Ta), 210W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее