г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRFP4110 Infineon Technologies

Артикул
AUIRFP4110
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC, N-Channel 100 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
1 218 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRFP4110.jpg
Other Names
SP001517386
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
370W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9620 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
AUIRFP4110
Mounting Type
Through Hole
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
25
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLU8259PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 57A IPAK, N-Channel 25 V 57A (Tc) 48W (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее
Артикул: IRFB52N15DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 51A TO220AB, N-Channel 150 V 51A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SPP80P06PHXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3, P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: FF150R12RT4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 150A 790W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 150 A 790 W Surface Mount Module
Подробнее
Артикул: IPT020N10N3ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF, N-Channel 100 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Подробнее
Артикул: IRLL014NTR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223, N-Channel 55 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее