г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRFP4110 Infineon Technologies

Артикул
AUIRFP4110
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC, N-Channel 100 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
1 218 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRFP4110.jpg
Other Names
SP001517386
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
370W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9620 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
AUIRFP4110
Mounting Type
Through Hole
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
25
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPP11N60C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3, N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IKW40N120CS7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: INDUSTRY 14 PG-TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 82 A 357 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IPD95R2K0P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3, N-Channel 950 V 4A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: SMBT3904E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 40V 200MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRF640NSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK, N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPA60R170CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 8A TO220, N-Channel 650 V 8A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее