г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFR93AE6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BFR93AE6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT23-3, RF Transistor NPN 12V 90mA 6GHz 300mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
83 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFR93AE6327HTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BFR93
Other Names
BFR 93A E6327,BFR93AE6327,BFR93AE6327HTSA1CT,BFR 93A E6327DKR-ND,BFR93AE6327HTSA1DKR,SP000011066,BFR93AE6327XT,BFR 93A E6327CT-ND,BFR 93A E6327DKR,BFR 93A E6327TR-ND,BFR93AE6327BTSA1,BFR93AE6327HTSA1TR,BFR 93A E6327CT,BFR 93A E6327-ND
Power - Max
300mW
Gain
9.5dB ~ 14.5dB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12V
Current - Collector (Ic) (Max)
90mA
Transistor Type
NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition
6GHz
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0075
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Noise Figure (dB Typ @ f)
1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC028N06LS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON, N-Channel 60 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: SKW15N60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRFI1010NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB FP, N-Channel 55 V 49A (Tc) 58W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: IMW120R045M1XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3, N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: IRL5602S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK, P-Channel 20 V 24A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPP076N15N5AKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3, N-Channel 150 V 112A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее