г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRLR3114Z Infineon Technologies

Артикул
AUIRLR3114Z
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK, N-Channel 40 V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Цена
184 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRLR3114Z.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
140W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.9mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3810 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Other Names
SP001517704
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-PAK (TO-252AA)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±16V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP60R099P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3, N-Channel 600 V 31A (Tc) 117W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRF7317PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.6A, 5.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: FF6MR12KM1PHOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MEDIUM POWER 62MM, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A (Tc) - Chassis Mount AG-62MM
Подробнее
Артикул: IKB15N60T
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKB15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: IRF100B202
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB, N-Channel 100 V 97A (Tc) 221W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSZ096N10LS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON, N-Channel 100 V 40A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Подробнее