г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

AUIRLR3114Z Infineon Technologies

Артикул
AUIRLR3114Z
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK, N-Channel 40 V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Цена
184 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/AUIRLR3114Z.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
140W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.9mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3810 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Other Names
SP001517704
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-PAK (TO-252AA)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±16V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IDH20G65C6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 41A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 41A (DC) Through Hole PG-TO220-2
Подробнее
Артикул: IKW20N60TFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 600V 40A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 40 A 166 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRF1324LPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 24V 195A TO262, N-Channel 24 V 195A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRF7322D1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO, P-Channel 20 V 5.3A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BDP954H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: AF TRANSISTORS, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 100MHz 5 W Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: IRG7PH35UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247AC, IGBT Trench 1200 V 50 A 180 W Through Hole TO-247AC
Подробнее