г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAR6406E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BAR6406E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3, RF Diode PIN - 1 Pair Common Anode 150V 100 mA 250 mW PG-SOT23
Цена
69 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - RF, Диоды - ВЧ
Image
files/BAR6406E6327HTSA1.jpg
Standard Package
3,000
Base Product Number
BAR6406
Other Names
BAR 64-06 E6327-ND,BAR 64-06 E6327TR-ND,BAR 64-06 E6327CT-ND,BAR 64-06 E6327,BAR 64-06 E6327DKR,2156-BAR6406E6327HTSA1,BAR6406E6327HTSA1DKR,BAR6406E6327HTSA1CT,BAR6406E6327HTSA1TR,SP000012213,ROCINFBAR6406E6327HTSA1,BAR 64-06 E6327DKR-ND,BAR 64-06 E6327CT
Current - Max
100 mA
Diode Type
PIN - 1 Pair Common Anode
Power Dissipation (Max)
250 mW
Capacitance @ Vr, F
0.35pF @ 20V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max)
150V
HTSUS
8541.10.0070
ECCN
EAR99
REACH Status
REACH Unaffected
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Resistance @ If, F
1.35Ohm @ 100mA, 100MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFZ24N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 17A TO-220AB, N-Channel 55 V 17A (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF3709
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB, N-Channel 30 V 90A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG4PC50U
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 55A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BCR141W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IRFR2607ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK, N-Channel 75 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRFP4768PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC, N-Channel 250 V 93A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее