г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAR6406E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BAR6406E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3, RF Diode PIN - 1 Pair Common Anode 150V 100 mA 250 mW PG-SOT23
Цена
69 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - RF, Диоды - ВЧ
Image
files/BAR6406E6327HTSA1.jpg
Standard Package
3,000
Base Product Number
BAR6406
Other Names
BAR 64-06 E6327-ND,BAR 64-06 E6327TR-ND,BAR 64-06 E6327CT-ND,BAR 64-06 E6327,BAR 64-06 E6327DKR,2156-BAR6406E6327HTSA1,BAR6406E6327HTSA1DKR,BAR6406E6327HTSA1CT,BAR6406E6327HTSA1TR,SP000012213,ROCINFBAR6406E6327HTSA1,BAR 64-06 E6327DKR-ND,BAR 64-06 E6327CT
Current - Max
100 mA
Diode Type
PIN - 1 Pair Common Anode
Power Dissipation (Max)
250 mW
Capacitance @ Vr, F
0.35pF @ 20V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max)
150V
HTSUS
8541.10.0070
ECCN
EAR99
REACH Status
REACH Unaffected
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Resistance @ If, F
1.35Ohm @ 100mA, 100MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFR9120NTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK, P-Channel 100 V 6.6A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BAR6402VH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SC79-2, RF Diode PIN - Single 150V 100 mA 250 mW PG-SC79-2
Подробнее
Артикул: IRGB4610DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 16A 77W TO220, IGBT - 600 V 16 A 77 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF1310NSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK, N-Channel 100 V 42A (Tc) 3.8W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: SPW35N60C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3, N-Channel 650 V 34.6A (Tc) 313W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRAMX16UP60A-2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR HYBRID 600V 16A SIP2, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 16 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее