г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGPS4067DPBF Infineon Technologies

Артикул
IRGPS4067DPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT TRENCH 600V 240A SUPER247, IGBT Trench 600 V 240 A 750 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRGPS4067DPBF.jpg
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
240 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
360 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.05V @ 15V, 120A
Power - Max
750 W
Switching Energy
5.75mJ (on), 3.43mJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
240 nC
Td (on/off) @ 25°C
80ns/190ns
Test Condition
400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
IGBT Type
Trench
Supplier Device Package
SUPER-247™ (TO-274AA)
Package / Case
TO-274AA
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001536538
Standard Package
25
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Reverse Recovery Time (trr)
130 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF9910PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IPA50R380CE
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-FP, N-Channel 500 V 9.9A (Tc) 29.2W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRLU2905Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее
Артикул: BCR112E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 140 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRF7342D2PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 3.4A 8SO, P-Channel 55 V 3.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: FF150R12ME3G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 200A 695W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 200 A 695 W Chassis Mount AG-ECONOD-3
Подробнее