г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAR66E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BAR66E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3, RF Diode PIN - 1 Pair Series Connection 150V 200 mA 250 mW PG-SOT23
Цена
90 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - RF, Диоды - ВЧ
Image
files/BAR66E6327HTSA1.jpg
Standard Package
3,000
Base Product Number
BAR66
Other Names
BAR66E6327INTR-ND,BAR66E6327INCT-ND,BAR66E6327INDKR-ND,BAR66E6327INCT,BAR66E6327HTSA1TR,BAR66E6327INDKR,BAR66E6327HTSA1DKR,BAR 66 E6327-ND,BAR 66 E6327,BAR66E6327INTR,SP000010187,BAR66E6327HTSA1CT,BAR66E6327XT,BAR66E6327,BAR66E6327BTSA1
Current - Max
200 mA
Diode Type
PIN - 1 Pair Series Connection
Power Dissipation (Max)
250 mW
Capacitance @ Vr, F
0.6pF @ 35V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max)
150V
HTSUS
8541.10.0070
ECCN
EAR99
REACH Status
REACH Unaffected
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Resistance @ If, F
1.8Ohm @ 5mA, 100MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP60R099C7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3, N-Channel 600 V 22A (Tc) 110W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRFH3702TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 16A/42A 8PQFN, N-Channel 30 V 16A (Ta), 42A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3x3)
Подробнее
Артикул: FF600R12ME4CBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 1060A 4050W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 1060 A 4050 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BSD223P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 390mA 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: IRFS3004-7PPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK, N-Channel 40 V 240A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: IRF5210STRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK, P-Channel 100 V 38A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее