г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF600R12ME4CBOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FF600R12ME4CBOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 1060A 4050W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 1060 A 4050 W Chassis Mount Module
Цена
58 920 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FF600R12ME4CBOSA1.jpg
Base Product Number
FF600R12
Other Names
FF600R12ME4C-ND,SP001064430,INFINFFF600R12ME4CBOSA1,2156-FF600R12ME4CBOSA1,FF600R12ME4C
Configuration
Half Bridge
Power - Max
4050 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
1060 A
Input
Standard
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 600A
NTC Thermistor
Yes
Current - Collector Cutoff (Max)
3 mA
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
37 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKW30N65EL5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3, IGBT - 650 V 85 A 227 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRF7834PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 19A 8SO, N-Channel 30 V 19A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF9Z34NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB, P-Channel 55 V 19A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF1010Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB, N-Channel 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IDH16G65C5XKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTKY 650V 16A TO220-2-1, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 16A (DC) Through Hole PG-TO220-2-1
Подробнее
Артикул: IRFS4310PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK, N-Channel 100 V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее