г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPI60R190C6 Infineon Technologies

Артикул
IPI60R190C6
Бренд
Infineon Technologies
Описание
COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET, Mosfet Array
Цена
265 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IPI60R190C6.jpg
Standard Package
1
Other Names
INFIPI60R190C6,2156-IPI60R190C6
ECCN
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSM100GB120DN2K
Бренд: Infineon Technologies
Описание: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT
Подробнее
Артикул: IRFZ46Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB, N-Channel 55 V 51A (Tc) 82W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPN70R450P7SATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223, N-Channel 700 V 10A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Подробнее
Артикул: IRF9520NS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK, P-Channel 100 V 6.8A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: SDT04S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 4A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: IKP15N60TXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 30A 130W TO220-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 30 A 130 W Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее