г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAS116E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BAS116E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3, Diode Standard 80 V 250mA (DC) Surface Mount PG-SOT23
Цена
43 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/BAS116E6327HTSA1.jpg
Base Product Number
BAS116
Other Names
BAS 116 E6327-ND,BAS116E6327HTSA1CT,BAS116E6327,BAS116E6327XT,BAS116E6327HTSA1DKR,BAS 116 E6327DKR,BAS 116 E6327,BAS 116 E6327CT-ND,BAS 116 E6327TR-ND,BAS116E6327BTSA1,SP000010194,BAS116E6327HTSA1TR,BAS 116 E6327CT,BAS 116 E6327DKR-ND
Speed
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
80 V
Reverse Recovery Time (trr)
1.5 µs
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr
5 nA @ 75 V
Operating Temperature - Junction
150°C (Max)
Current - Average Rectified (Io)
250mA (DC)
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070
Capacitance @ Vr, F
2pF @ 0V, 1MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGP30B120KD-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 60A 300W TO247AD, IGBT NPT 1200 V 60 A 300 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRLR3103TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK, N-Channel 30 V 55A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRF7104PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFR7446TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 56A DPAK, N-Channel 40 V 56A (Tc) 98W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRF3710L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 57A TO262, N-Channel 100 V 57A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: SDT04S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 4A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее