г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAS116E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BAS116E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3, Diode Standard 80 V 250mA (DC) Surface Mount PG-SOT23
Цена
43 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/BAS116E6327HTSA1.jpg
Base Product Number
BAS116
Other Names
BAS 116 E6327-ND,BAS116E6327HTSA1CT,BAS116E6327,BAS116E6327XT,BAS116E6327HTSA1DKR,BAS 116 E6327DKR,BAS 116 E6327,BAS 116 E6327CT-ND,BAS 116 E6327TR-ND,BAS116E6327BTSA1,SP000010194,BAS116E6327HTSA1TR,BAS 116 E6327CT,BAS 116 E6327DKR-ND
Speed
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
80 V
Reverse Recovery Time (trr)
1.5 µs
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr
5 nA @ 75 V
Operating Temperature - Junction
150°C (Max)
Current - Average Rectified (Io)
250mA (DC)
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070
Capacitance @ Vr, F
2pF @ 0V, 1MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPW60R160C6FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3, N-Channel 600 V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRFR540ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK, N-Channel 100 V 35A (Tc) 91W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRL3502
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB, N-Channel 20 V 110A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FF2MR12KM1PHOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MEDIUM POWER 62MM, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 500A (Tc) - Chassis Mount AG-62MM
Подробнее
Артикул: FZ600R17KE3HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1700V 840A 3150W, IGBT Module Trench Field Stop Single 1700 V 840 A 3150 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BSS225
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89, N-Channel 600 V 90mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
Подробнее