г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPB051NE8NG Infineon Technologies

Артикул
IPB051NE8NG
Бренд
Infineon Technologies
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET,
Цена
262 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPB051NE8NG.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
INFINFIPB051NE8NG,2156-IPB051NE8NG
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BB914E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE VARACTOR 18V DUAL SOT23-3, Varactors 1 Pair Common Cathode 18 V Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: AUIRF7319QTR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.5A, 4.9A 2W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: SPP18P06PHXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3, P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: SPW35N60C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3, N-Channel 650 V 34.6A (Tc) 313W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: SGB10N60AATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 20A 92W TO263-3, IGBT NPT 600 V 20 A 92 W Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IRG4PSC71UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 85A 350W SUPER247, IGBT - 600 V 85 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее