г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAS1602VH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BAS1602VH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE GEN PURP 80V 200MA SC79-2, Diode Standard 80 V 200mA (DC) Surface Mount PG-SC79-2
Цена
45 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/BAS1602VH6327XTSA1.jpg
Base Product Number
BAS1602V
Other Names
BAS1602VH6327XTSA1CT,BAS 16-02V H6327CT,BAS 16-02V H6327DKR-ND,BAS1602VH6327,INFINFBAS1602VH6327XTSA1,BAS 16-02V H6327-ND,2156-BAS1602VH6327XTSA1,BAS 16-02V H6327TR-ND,BAS 16-02V H6327,BAS 16-02V H6327CT-ND,BAS 16-02V H6327DKR,SP000752008,BAS1602VH6327XTS
Speed
Small Signal =
Diode Type
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
80 V
Reverse Recovery Time (trr)
4 ns
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr
1 µA @ 75 V
Operating Temperature - Junction
150°C (Max)
Current - Average Rectified (Io)
200mA (DC)
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
SC-79, SOD-523
Supplier Device Package
PG-SC79-2
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070
Capacitance @ Vr, F
2pF @ 0V, 1MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPA60R199CPXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP, N-Channel 650 V 16A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Подробнее
Артикул: IRLR8113TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 94A DPAK, N-Channel 30 V 94A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BCR512E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IPB014N06NATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7, N-Channel 60 V 34A (Ta), 180A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Подробнее
Артикул: IKW40N65F5FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3, IGBT - 650 V 74 A 255 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRFHM4226TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH 25V 28A PQFN, N-Channel 25 V 28A (Ta) 2.7W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount
Подробнее