г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAS1602VH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BAS1602VH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE GEN PURP 80V 200MA SC79-2, Diode Standard 80 V 200mA (DC) Surface Mount PG-SC79-2
Цена
45 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/BAS1602VH6327XTSA1.jpg
Base Product Number
BAS1602V
Other Names
BAS1602VH6327XTSA1CT,BAS 16-02V H6327CT,BAS 16-02V H6327DKR-ND,BAS1602VH6327,INFINFBAS1602VH6327XTSA1,BAS 16-02V H6327-ND,2156-BAS1602VH6327XTSA1,BAS 16-02V H6327TR-ND,BAS 16-02V H6327,BAS 16-02V H6327CT-ND,BAS 16-02V H6327DKR,SP000752008,BAS1602VH6327XTS
Speed
Small Signal =
Diode Type
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
80 V
Reverse Recovery Time (trr)
4 ns
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr
1 µA @ 75 V
Operating Temperature - Junction
150°C (Max)
Current - Average Rectified (Io)
200mA (DC)
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
SC-79, SOD-523
Supplier Device Package
PG-SC79-2
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070
Capacitance @ Vr, F
2pF @ 0V, 1MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7413TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO, N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IPP60R180C7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3, N-Channel 600 V 13A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IPP60R520C6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: BCR133E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IGW75N65H5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3, IGBT Trench 650 V 120 A 395 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRFB42N20D
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 44A TO220AB, N-Channel 200 V 44A (Tc) 2.4W (Ta), 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее