г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAS3010A03WE6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BAS3010A03WE6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323-2, Diode Schottky 30 V 1A Surface Mount PG-SOD323-2
Цена
69 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/BAS3010A03WE6327HTSA1.jpg
Base Product Number
BAS3010
Other Names
BAS3010A03WE6327HTSA1TR,BAS3010A-03WE6327INTR,BAS3010A-03WE6327INCT-ND,BAS3010A03WE6327XT,BAS3010A-03WE6327INCT,BAS3010A03WE6327HTSA1CT,BAS3010A-03W,SP000068629,BAS3010A-03WE6327INDKR,BAS3010A-03WE6327INTR-ND,BAS 3010A-03W E6327-ND,BAS 3010A-03W E6327,BAS
Speed
Fast Recovery = 200mA (Io)
Diode Type
Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
470 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr
200 µA @ 30 V
Operating Temperature - Junction
-65°C ~ 125°C
Current - Average Rectified (Io)
1A
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.10.0080
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Package / Case
SC-76, SOD-323
Supplier Device Package
PG-SOD323-2
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Capacitance @ Vr, F
35pF @ 5V, 1MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFH5301TR2PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN, N-Channel 30 V 35A (Ta), 100A (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Подробнее
Артикул: IPW60R160P6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N-Channel 600 V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: IGCM04G60HAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 24MDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 4 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IRF7204
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO, P-Channel 20 V 5.3A (Ta) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: SI4435DY
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO, P-Channel 30 V 8A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: DD104N16KHPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE MODULE GP 1600V 104A, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1600 V 104A Chassis Mount Module
Подробнее