г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4PH40UDPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4PH40UDPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 41A 160W TO247AC, IGBT - 1200 V 41 A 160 W Through Hole TO-247AC
Цена
1 202 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4PH40UDPBF.jpg
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
41 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
82 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.1V @ 15V, 21A
Power - Max
160 W
Switching Energy
1.8mJ (on), 1.93mJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
86 nC
Td (on/off) @ 25°C
46ns/97ns
Test Condition
800V, 21A, 10Ohm, 15V
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRG4PH40UDPBF,2156-IRG4PH40UDPBF-448,63-6004PBF,63-6004PBF-ND,SP001537144
Standard Package
400
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Reverse Recovery Time (trr)
63 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC016N06NSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON, N-Channel 60 V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Подробнее
Артикул: BSD223P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 390mA 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: IRGBC30UD2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT W/DIODE 600V 23A TO-220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SPN04N60S5
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 800MA SOT223-4, N-Channel 600 V 800mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: IRGB4715DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V TO-220AB, IGBT - 650 V 21 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: AUIRFZ48Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 61A TO220, N-Channel 55 V 61A (Tc) 91W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее