г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAS3010B03WE6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BAS3010B03WE6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323-2, Diode Schottky 30 V 1A Surface Mount PG-SOD323-2
Цена
69 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/BAS3010B03WE6327HTSA1.jpg
Base Product Number
BAS3010
Other Names
BAS3010B03WE6327,BAS3010B-03WE6327INTR,BAS3010B-03WE6327INTR-ND,BAS3010B03WE6327HTSA1CT,BAS3010B-03WE6327INDKR,BAS 3010B-03W E6327,BAS3010B-03WE6327INDKR-ND,BAS 3010B-03W E6327-ND,BAS3010B03WE6327XT,BAS3010B-03WE6327INCT,BAS3010B03WE6327HTSA1DKR,IFEINFBAS
Speed
Fast Recovery = 200mA (Io)
Diode Type
Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr
20 µA @ 30 V
Operating Temperature - Junction
-65°C ~ 125°C
Current - Average Rectified (Io)
1A
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.10.0080
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Package / Case
SC-76, SOD-323
Supplier Device Package
PG-SOD323-2
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Capacitance @ Vr, F
40pF @ 5V, 1MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGBC30S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT STD 600V 34A TO-220AB, IGBT - 600 V 34 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRL2505PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 104A TO220AB, N-Channel 55 V 104A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSM75GB120DN2HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MEDIUM POWER 34MM, IGBT Module
Подробнее
Артикул: IRL3705NS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK, N-Channel 55 V 89A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IDW30G65C5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO247-3, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 30A (DC) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IPD122N10N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3, N-Channel 100 V 59A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее