г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAS70-04E6327 Infineon Technologies

Артикул
BAS70-04E6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BAS70 - HIGH SPEED SWITCHING, CL, Diode Array
Цена
10 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Arrays, Диоды - выпрямители - массивы
Image
files/BAS70-04E6327.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070
Other Names
2156-BAS70-04E6327,IFEINFBAS70-04E6327
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPB073N15N5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3, N-Channel 150 V 114A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IRFB5615PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB, N-Channel 150 V 35A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FP40R12KT3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 55A 210W, IGBT Module - Three Phase Inverter 1200 V 55 A 210 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IPW60R190E6FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3, N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BSZ146N10LS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON, N-Channel 100 V 40A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Подробнее
Артикул: IRG4PC50UD-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 55A 200W TO247-3, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее

Ваша заявка принята