г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAT1502LRHE6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BAT1502LRHE6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
RF DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSLP2, RF Diode Schottky - Single 4V 110 mA 100 mW PG-TSLP-2-7
Цена
143 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - RF, Диоды - ВЧ
Image
files/BAT1502LRHE6327XTSA1.jpg
Standard Package
15,000
Base Product Number
BAT1502
Other Names
BAT1502LRHE6327XTSA1TR,2156-BAT1502LRHE6327XTSA1,BAT1502LRHE6327XT,BAT1502LRHE6327XTSA1DKR,INFINFBAT1502LRHE6327XTSA1,BAT 15-02LRH E6327TR-ND,BAT 15-02LRH E6327,SP000055124,BAT1502LRHE6327XTSA1CT,BAT 15-02LRH E6327-ND
Current - Max
110 mA
Diode Type
Schottky - Single
Power Dissipation (Max)
100 mW
Capacitance @ Vr, F
0.35pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max)
4V
HTSUS
8541.10.0070
ECCN
EAR99
REACH Status
REACH Unaffected
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SOD-882
Supplier Device Package
PG-TSLP-2-7
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Resistance @ If, F
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IGT60R190D1SATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF, N-Channel 600 V 12.5A (Tc) 55.5W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3
Подробнее
Артикул: IRF520N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB, N-Channel 100 V 9.7A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SPW17N80C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3, N-Channel 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRLL2703TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223, N-Channel 30 V 3.9A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: BSS127H6327XTSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3, N-Channel 600 V 21mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: BC858B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее