г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BAV199E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BAV199E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23, Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 80 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Цена
45 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Arrays, Диоды - выпрямители - массивы
Image
files/BAV199E6327HTSA1.jpg
Base Product Number
BAV199
Other Names
BAV199E6327HTSA1DKR,BAV199INTR-NDR,BAV199E6327HTSA1CT,BAV 199 E6327,BAV199XTINTR,BAV199INTR-ND,BAV199INCT-ND,BAV199INDKR,BAV199XTINTR-ND,BAV199E6327,BAV199INTR,IFEINFBAV199E6327HTSA1,BAV199E6327BTSA1,BAV199E6327XT,SP000010326,BAV199XTINCT,BAV199E6327HTSA1
Speed
Small Signal =
Diode Type
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
80 V
Reverse Recovery Time (trr)
1.5 µs
Diode Configuration
1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)
200mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr
5 nA @ 75 V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070
Operating Temperature - Junction
150°C (Max)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD80N04S3-06
Бренд: Infineon Technologies
Описание: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET, Mosfet Array
Подробнее
Артикул: IRFU5305PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 31A IPAK, P-Channel 55 V 31A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IRFU120NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK, N-Channel 100 V 9.4A (Tc) 48W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: BAS40-05W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BAS40 - HIGH SPEED SWITCHING, CL, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 40 V 120mA (DC) Surface Mount SC-70, SOT-323
Подробнее
Артикул: SPA11N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRF5210STRRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK, P-Channel 100 V 38A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее