г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPA11N60C3 Infineon Technologies

Артикул
SPA11N60C3
Бренд
Infineon Technologies
Описание
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Bipolar (BJT) Transistor
Цена
251 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/SPA11N60C3.jpg
Standard Package
1
Other Names
INFINFSPA11N60C3,2156-SPA11N60C3
ECCN
EAR99
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
REACH Status
REACH Unaffected

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB4310ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB, N-Channel 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF7854PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 10A 8SO, N-Channel 80 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF7905TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.8A, 8.9A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFS3107PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK, N-Channel 75 V 195A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRG4BC30WPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 23A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF6668TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ, N-Channel 80 V 55A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Подробнее