г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BC817-16W Infineon Technologies

Артикул
BC817-16W
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Цена
3 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BC817-16W.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
3,000
Other Names
2156-BC817-16W,INFINFBC817-16W
HTSUS
8541.21.0075
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD65R660CFDBTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3, N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRF7342PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 55V 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRGPS46160DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 240A SUPER247, IGBT - 600 V 240 A 750 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: IRFP7718PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 195A TO247AC, N-Channel 75 V 195A (Tc) 517W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IMZ120R030M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4, N-Channel 1200 V 56A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
Подробнее
Артикул: SGW30N60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 41A I(C), 600V V(BR)CES, N, IGBT
Подробнее