г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BC858CE6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BC858CE6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
5 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BC858CE6327HTSA1.jpg
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
BC858
Other Names
BC858CE6327,BC858CE6327BTSA1,BC858CE6327HTSA1DKR,BC858CE6327HTSA1TR,2156-BC858CE6327HTSA1-ITTR,BC 858C E6327DKR-ND,BC 858C E6327CT-ND,BC 858C E6327,BC 858C E6327CT,BC 858C E6327TR-ND,BC858CE6327HTSA1CT,BC 858C E6327-ND,BC858CE6327XT,INFINFBC858CE6327HTSA1
Power - Max
330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
Standard Package
3,000
HTSUS
8541.21.0075
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
250MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGP50B60PD1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 75A 390W TO247AC, IGBT NPT 600 V 75 A 390 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: FZ900R12KE4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 900A 4300W, IGBT Module Trench Field Stop Single 1200 V 900 A 4300 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRG4BC20UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 13A 60W TO220AB, IGBT - 600 V 13 A 60 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG7PH50UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 140A 556W TO247AC, IGBT Trench 1200 V 140 A 556 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFP2907ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC, N-Channel 75 V 90A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF7380TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее