г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCP69E6327 Infineon Technologies

Артикул
BCP69E6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Цена
9 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BCP69E6327.jpg
REACH Status
Vendor Undefined
Standard Package
1,000
Other Names
2156-BCP69E6327,INFINFBCP69E6327
HTSUS
8541.29.0075
ECCN
EAR99
RoHS Status
RoHS non-compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB4615PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB, N-Channel 150 V 35A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BCR183S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: BUZ30A H3045A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: FF200R12KS4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 275A 1400W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 275 A 1400 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFB4310ZGPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB, N-Channel 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BAR6403WE6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF PIN DIODE > ANTENNA SWITCH, RF Diode PIN - Single 150V 100 mA 250 mW PG-SOD323-2
Подробнее