г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPD70R360P7SAUMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3, N-Channel 700 V 12.5A (Tc) 59.4W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Цена
202 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPD70R360P7SAUMA1.jpg
Other Names
SP001491634,IPD70R360P7SAUMA1CT,IPD70R360P7SAUMA1TR,IPD70R360P7SAUMA1DKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
59.4W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
700 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
517 pF @ 400 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IPD70R360
Mounting Type
Surface Mount
Series
CoolMOS™ P7
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
PG-TO252-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,500
Vgs (Max)
±16V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FZ250R65KE3NPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 6500V 500A 4800W, IGBT Module - Single 6500 V 500 A 4800 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BSC059N04LS6ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 17A TDSON, N-Channel 40 V 17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc) 3W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: IRFZ34NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB, N-Channel 55 V 29A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BAT1504WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT323-3, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 4V 110 mA 100 mW SOT-323
Подробнее
Артикул: IRF8736TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO, N-Channel 30 V 18A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF7739L2TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET, N-Channel 40 V 46A (Ta), 375A (Tc) 3.8W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Подробнее