г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR108E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR108E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 170 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
41 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR108E6327HTSA1.jpg
Other Names
BCR 108 E6327-ND,BCR108E6327HTSA1CT,BCR108E6327INCT,BCR108E6327INDKR,BCR108E6327,BCR108E6327INCT-ND,BCR108E6327INTR-ND,BCR108E6327INTR,BCR 108 E6327,BCR108E6327INDKR-ND,BCR108E6327HTSA1TR,BCR108E6327HTSA1DKR,BCR108E6327BTSA1,BCR108E6327XT,SP000010736
Power - Max
200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition
170 MHz
Resistor - Base (R1)
2.2 kOhms
Base Product Number
BCR108
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPA50R380CE
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-FP, N-Channel 500 V 9.9A (Tc) 29.2W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: BC808-40
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: FT150R12KE3G_B4
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 200A 700W, IGBT Module Three Phase Inverter 1200 V 200 A 700 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IPP037N08N3G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1,
Подробнее
Артикул: SI4410DY
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO, N-Channel 30 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFP4868PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRFP4868 - 12V-300V N-CHANNEL PO, N-Channel 300 V 70A (Tc) 517W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее