г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR119S Infineon Technologies

Артикул
BCR119S
Бренд
Infineon Technologies
Описание
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Цена
7 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с предварительным сопряжением
Image
files/BCR119S.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
2156-BCR119S,INFINFBCR119S
HTSUS
8541.21.0075
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKW50N60H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 600V 100A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 100 A 333 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IKW40N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 80A 483W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 483 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IPI075N15N3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRL3716
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 180A TO220AB, N-Channel 20 V 180A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG7PH46UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 130A 469W TO247AC, IGBT Trench 1200 V 130 A 469 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF7521D1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8, N-Channel 20 V 2.4A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro8™
Подробнее