г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR119S Infineon Technologies

Артикул
BCR119S
Бренд
Infineon Technologies
Описание
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Цена
7 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с предварительным сопряжением
Image
files/BCR119S.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
2156-BCR119S,INFINFBCR119S
HTSUS
8541.21.0075
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFR3410TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 31A DPAK, N-Channel 100 V 31A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRG7PH46UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 40A 390W TO247AC, IGBT Trench 1200 V 40 A 390 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: AUIRG4BC30S-S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DISCRETE SWITCHES, IGBT
Подробнее
Артикул: FF400R17KE4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1700V 400A, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700 V 400 A Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IPW60R041C6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 600V, 0.041OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Подробнее
Артикул: IPP60R090CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3, N-Channel 600 V 25A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее