г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR133SH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR133SH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363-6, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Цена
67 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с предварительным сопряжением
Image
files/BCR133SH6327XTSA1.jpg
Other Names
BCR133SH6327XTSA1TR,BCR 133S H6327CT-ND,BCR133SH6327,BCR 133S H6327TR-ND,SP000755050,BCR 133S H6327DKR-ND,BCR 133S H6327,BCR 133S H6327CT,BCR 133S H6327-ND,BCR133SH6327XTSA1CT,BCR133SH6327XTSA1DKR,BCR 133S H6327DKR,IFEINFBCR133SH6327XTSA1,2156-BCR133SH632
Power - Max
250mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition
130MHz
Resistor - Base (R1)
10kOhms
Base Product Number
BCR133S
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
PG-SOT363-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Resistor - Emitter Base (R2)
10kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4PH30KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 20A 100W TO247AC, IGBT - 1200 V 20 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: FS35R12KT3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 55A 210W, IGBT Module - Full Bridge Inverter 1200 V 55 A 210 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BFQ790H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 6.1V 1.85GHZ SOT89, RF Transistor NPN 6.1V 300mA 1.85GHz 1.5W Surface Mount PG-SOT89
Подробнее
Артикул: IRFS7430-7PPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK, N-Channel 40 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: IPW60R099P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3, N-Channel 600 V 31A (Tc) 117W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRF3711PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB, N-Channel 20 V 110A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее