г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR133SH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR133SH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363-6, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Цена
67 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с предварительным сопряжением
Image
files/BCR133SH6327XTSA1.jpg
Other Names
BCR133SH6327XTSA1TR,BCR 133S H6327CT-ND,BCR133SH6327,BCR 133S H6327TR-ND,SP000755050,BCR 133S H6327DKR-ND,BCR 133S H6327,BCR 133S H6327CT,BCR 133S H6327-ND,BCR133SH6327XTSA1CT,BCR133SH6327XTSA1DKR,BCR 133S H6327DKR,IFEINFBCR133SH6327XTSA1,2156-BCR133SH632
Power - Max
250mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition
130MHz
Resistor - Base (R1)
10kOhms
Base Product Number
BCR133S
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
PG-SOT363-6
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Resistor - Emitter Base (R2)
10kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLU120NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK, N-Channel 100 V 10A (Tc) 48W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: BFR193E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3, RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRL3402
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB, N-Channel 20 V 85A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SPP35N10
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 35A TO220-3, N-Channel 100 V 35A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: DD104N16KHPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE MODULE GP 1600V 104A, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1600 V 104A Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF6648TR1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN, N-Channel 60 V 86A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Подробнее