г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR133WH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR133WH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Цена
6 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR133WH6327XTSA1.jpg
Other Names
BCR133WH6327XTSA1TR-NDTR-ND,BCR 133W H6327,2156-BCR133WH6327XTSA1-ITTR,IFEINFBCR133WH6327XTSA1,BCR133WH6327XTSA1TR,BCR 133W H6327-ND,SP000756246
Power - Max
250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition
130 MHz
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Base Product Number
BCR133
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
SC-70, SOT-323
Supplier Device Package
SOT-323
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFS4410TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK, N-Channel 100 V 88A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IRF7509TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8, Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.7A, 2A 1.25W Surface Mount Micro8™
Подробнее
Артикул: FF300R12KT4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 450A 1600W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 450 A 1600 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IPW65R050CFD7AXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41, N-Channel 650 V 45A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: FF300R12ME4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 450A 1600W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 450 A 1600 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IGW15T120
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGW15T120 - DISCRETE IGBT WITHOU, IGBT
Подробнее