г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR133WH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR133WH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Цена
6 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR133WH6327XTSA1.jpg
Other Names
BCR133WH6327XTSA1TR-NDTR-ND,BCR 133W H6327,2156-BCR133WH6327XTSA1-ITTR,IFEINFBCR133WH6327XTSA1,BCR133WH6327XTSA1TR,BCR 133W H6327-ND,SP000756246
Power - Max
250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition
130 MHz
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Base Product Number
BCR133
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
SC-70, SOT-323
Supplier Device Package
SOT-323
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPI075N15N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3, N-Channel 150 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Подробнее
Артикул: IRFP3006PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 195A TO247AC, N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFS3607PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK, N-Channel 75 V 80A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPD50N06S409ATMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31, N-Channel 60 V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: IPD70R600P7SAUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3, N-Channel 700 V 8.5A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: FZ600R17KE4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1700V 1200A 3350W, IGBT Module Trench Field Stop Single 1700 V 1200 A 3350 W Chassis Mount Module
Подробнее