г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR133WH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR133WH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Цена
6 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR133WH6327XTSA1.jpg
Other Names
BCR133WH6327XTSA1TR-NDTR-ND,BCR 133W H6327,2156-BCR133WH6327XTSA1-ITTR,IFEINFBCR133WH6327XTSA1,BCR133WH6327XTSA1TR,BCR 133W H6327-ND,SP000756246
Power - Max
250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition
130 MHz
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Base Product Number
BCR133
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
SC-70, SOT-323
Supplier Device Package
SOT-323
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSZ900N15NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON, N-Channel 150 V 13A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: IRFSL3107PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 195A TO262, N-Channel 75 V 195A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRFSL4410
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 96A TO262, N-Channel 100 V 96A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: BSS127H6327XTSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3, N-Channel 600 V 21mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRLB3036PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB, N-Channel 60 V 195A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BAR8902LRHE6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2, RF Diode PIN - Single 80V 100 mA 250 mW PG-TSLP-2-7
Подробнее