г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR141E6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR141E6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PREBIAS NPN 0.25W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount PG-SOT23
Цена
5 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR141E6327HTSA1.jpg
Other Names
BCR 141 E6327CT,BCR 141 E6327DKR-ND,BCR141E6327XT,BCR 141 E6327DKR,BCR141E6327HTSA1CT,BCR141E6327,BCR 141 E6327TR-ND,BCR141E6327BTSA1,BCR 141 E6327CT-ND,BCR141E6327HTSA1DKR,BCR 141 E6327-ND,BCR141E6327HTSA1TR,BCR 141 E6327,SP000010769
Power - Max
250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition
130 MHz
Resistor - Base (R1)
22 kOhms
Base Product Number
BCR141
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
PG-SOT23
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Resistor - Emitter Base (R2)
22 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLZ24NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 18A TO220AB, N-Channel 55 V 18A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SPD11N10
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 10.5A TO252-3, N-Channel 100 V 10.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: SPP11N80C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SPP11N80 - COOLMOS N-CHANNEL POW, N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRF7811AVTR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO, N-Channel 30 V 10.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF6215SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK, P-Channel 150 V 13A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF7342TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 55V 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее