г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF6215SPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF6215SPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK, P-Channel 150 V 13A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
265 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF6215SPBF.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 110W (Tc)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
860 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
SP001551148,*IRF6215SPBF
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
50
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPD042P03L3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3, P-Channel 30 V 70A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IPW90R120C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 COO, N-Channel 900 V 36A (Tc) 417W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BSC123N08NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON, N-Channel 80 V 11A (Ta), 55A (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: IRGP20B120U-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT NPT 1200V 40A TO247AD, IGBT NPT 1200 V 40 A 300 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRF520NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB, N-Channel 100 V 9.7A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPW60R190P6FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3, N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее