г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR141WE6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR141WE6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR141WE6327HTSA1.jpg
Other Names
BCR 141W E6327,BCR 141W E6327-ND,BCR141WE6327,BCR141WE6327HTSA1TR-NDTR,BCR141WE6327XT,SP000010773
Power - Max
250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition
130 MHz
Resistor - Base (R1)
22 kOhms
Base Product Number
BCR141
Mounting Type
Surface Mount
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Package / Case
SC-70, SOT-323
Supplier Device Package
SOT-323
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Standard Package
3,000
Resistor - Emitter Base (R2)
22 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF5305STRRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK, P-Channel 55 V 31A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BAS16-03WE6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RECTIFIER DIODE, 0.25A, 80V, Diode
Подробнее
Артикул: IRGB30B60K
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 78A 370W TO220AB, IGBT NPT 600 V 78 A 370 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFP3703PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 210A TO247AC, N-Channel 30 V 210A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF9389TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO, Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.8A, 4.6A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFP3703
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 210A TO247AC, N-Channel 30 V 210A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее