г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR141WE6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR141WE6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR141WE6327HTSA1.jpg
Other Names
BCR 141W E6327,BCR 141W E6327-ND,BCR141WE6327,BCR141WE6327HTSA1TR-NDTR,BCR141WE6327XT,SP000010773
Power - Max
250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition
130 MHz
Resistor - Base (R1)
22 kOhms
Base Product Number
BCR141
Mounting Type
Surface Mount
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Package / Case
SC-70, SOT-323
Supplier Device Package
SOT-323
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Standard Package
3,000
Resistor - Emitter Base (R2)
22 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFHS9351TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 1.4W Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Подробнее
Артикул: IRF3315
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 27A TO220AB, N-Channel 150 V 27A (Tc) 136W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG4BC30KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 28A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 28 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FP40R12KE3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 55A 210W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 55 A 210 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRLR2905ZTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BSS84PH6327XTSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3, P-Channel 60 V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее