г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR141WE6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR141WE6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR141WE6327HTSA1.jpg
Other Names
BCR 141W E6327,BCR 141W E6327-ND,BCR141WE6327,BCR141WE6327HTSA1TR-NDTR,BCR141WE6327XT,SP000010773
Power - Max
250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition
130 MHz
Resistor - Base (R1)
22 kOhms
Base Product Number
BCR141
Mounting Type
Surface Mount
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Package / Case
SC-70, SOT-323
Supplier Device Package
SOT-323
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Standard Package
3,000
Resistor - Emitter Base (R2)
22 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFHS9351TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 1.4W Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Подробнее
Артикул: IRLR3303PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK, N-Channel 30 V 35A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IPSA70R360P7SAKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3, N-Channel 700 V 12.5A (Tc) 59.5W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Подробнее
Артикул: IRLHM620TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN, N-Channel 20 V 26A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
Подробнее
Артикул: IRG7S313UTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT PDP 330V 40A D2PAK, IGBT Trench 330 V 40 A 78 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: SMBTA06
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее