г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR141WE6327HTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR141WE6327HTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR141WE6327HTSA1.jpg
Other Names
BCR 141W E6327,BCR 141W E6327-ND,BCR141WE6327,BCR141WE6327HTSA1TR-NDTR,BCR141WE6327XT,SP000010773
Power - Max
250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition
130 MHz
Resistor - Base (R1)
22 kOhms
Base Product Number
BCR141
Mounting Type
Surface Mount
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Package / Case
SC-70, SOT-323
Supplier Device Package
SOT-323
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Standard Package
3,000
Resistor - Emitter Base (R2)
22 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FP75R12KT4B15BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 75A 385W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 75 A 385 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF7413PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO, N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRGBC30S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT STD 600V 34A TO-220AB, IGBT - 600 V 34 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: DDB6U145N16LHOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE MODULE GP 1600V, Diode Array 3 Independent Standard 1600 V - Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRGB4045DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 12A 77W TO220AB, IGBT Trench 600 V 12 A 77 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSB014N04LX3GXUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON, N-Channel 40 V 36A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Подробнее