г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: с 9-00 до 21-00
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC009NE2LS5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON, N-Channel 25 V 41A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Цена
375 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC009NE2LS5ATMA1.jpg
Other Names
BSC009NE2LS5ATMA1-ND,SP001212764,BSC009NE2LS5ATMA1TR,BSC009NE2LS5ATMA1CT,BSC009NE2LS5ATMA1DKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 74W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
41A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3900 pF @ 12 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC009
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±16V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF9910
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: FF1400R17IP4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1700V 1400A, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1700 V 1400 A 955000 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFR3910PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 16A DPAK, N-Channel 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRLHM620TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN, N-Channel 20 V 26A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
Подробнее
Артикул: BSP170PH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4, P-Channel 60 V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: FZ900R12KE4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 900A 4300W, IGBT Module Trench Field Stop Single 1200 V 900 A 4300 W Chassis Mount Module
Подробнее