г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSC009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSC009NE2LS5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON, N-Channel 25 V 41A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Цена
375 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSC009NE2LS5ATMA1.jpg
Other Names
BSC009NE2LS5ATMA1-ND,SP001212764,BSC009NE2LS5ATMA1TR,BSC009NE2LS5ATMA1CT,BSC009NE2LS5ATMA1DKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 74W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
41A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3900 pF @ 12 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSC009
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-7
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±16V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGR4045DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 12A 77W DPAK, IGBT Trench 600 V 12 A 77 W Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRF6720S2TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET, N-Channel 30 V 11A (Ta), 35A (Tc) 1.7W (Ta), 17W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric S1
Подробнее
Артикул: IAUC100N08S5N043ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34, N-Channel 80 V 100A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Подробнее
Артикул: IPW60R190P6FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3, N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: BAT6406E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23, Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 40 V 120mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IRFS7430TRL7PP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK, N-Channel 40 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее