г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR146 Infineon Technologies

Артикул
BCR146
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Цена
3 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/BCR146.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
3,000
Other Names
INFINFBCR146,2156-BCR146
HTSUS
8541.21.0075
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGBC40U
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT UFAST 600V 40A TO-220AB, IGBT - 600 V 40 A 160 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: AUIRLR3705Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRAMS10UP60B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: PLUG N DRIVE INTELLIGENT PWR MOD, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRF6614TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET, N-Channel 40 V 12.7A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Подробнее
Артикул: IRGP4062DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 48A 250W TO247AC, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFB3207ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB, N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее