г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR148WH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR148WH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 100 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Цена
6 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR148WH6327XTSA1.jpg
Other Names
BCR148WH6327XTSA1TR,BCR148WH6327XTSA1TR-NDTR-ND,IFEINFBCR148WH6327XTSA1,BCR 148W H6327-ND,BCR 148W H6327,2156-BCR148WH6327XTSA1-ITTR,SP000756268
Power - Max
250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition
100 MHz
Resistor - Base (R1)
47 kOhms
Base Product Number
BCR148
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
SC-70, SOT-323
Supplier Device Package
SOT-323
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRL1404S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK, N-Channel 40 V 160A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPB123N10N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK, N-Channel 100 V 58A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: 2N7002DWH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 300mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: IRLU024N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK, N-Channel 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее
Артикул: IRFR9N20DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK, N-Channel 200 V 9.4A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: FD250R65KE3KNOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 6500V 250A 4800W, IGBT Module - Single 6500 V 250 A 4800 W Chassis Mount Module
Подробнее