г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR148WH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BCR148WH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 100 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Цена
6 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR148WH6327XTSA1.jpg
Other Names
BCR148WH6327XTSA1TR,BCR148WH6327XTSA1TR-NDTR-ND,IFEINFBCR148WH6327XTSA1,BCR 148W H6327-ND,BCR 148W H6327,2156-BCR148WH6327XTSA1-ITTR,SP000756268
Power - Max
250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition
100 MHz
Resistor - Base (R1)
47 kOhms
Base Product Number
BCR148
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Not For New Designs
Package / Case
SC-70, SOT-323
Supplier Device Package
SOT-323
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGS4056DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 24A 140W D2PAK, IGBT Trench 600 V 24 A 140 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON, N-Channel 40 V 40A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: IPI023NE7N3 G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3, N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Подробнее
Артикул: IKY75N120CH3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 150A TO247-4, IGBT - 1200 V 150 A 938 W Through Hole PG-TO247-4
Подробнее
Артикул: TD320N16SOFHPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: THYRISTOR MODULE 1600V 320A, SCR Module 1.6 kV 520 A Series Connection - SCR/Diode Surface Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFB7430PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH 40V 195A TO220, N-Channel 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее