г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR158 Infineon Technologies

Артикул
BCR158
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Цена
3 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR158.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
3,000
Other Names
2156-BCR158,INFINFBCR158
HTSUS
8541.21.0075
ECCN
EAR99
RoHS Status
Not applicable
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFL4105
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223, N-Channel 55 V 3.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: BCR142E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: SPP11N60C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3, N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRGS4065PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 300V 70A 178W D2PAK, IGBT Trench 300 V 70 A 178 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF7805A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO, N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IGP40N65H5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 74A TO220-3, IGBT - 650 V 74 A 255 W Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее