г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGS4B60KD1PBF Infineon Technologies

Артикул
IRGS4B60KD1PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 11A 63W D2PAK, IGBT NPT 600 V 11 A 63 W Surface Mount D2PAK
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRGS4B60KD1PBF.jpg
Test Condition
400V, 4A, 100Ohm, 15V
Power - Max
63 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
11 A
IGBT Type
NPT
Current - Collector Pulsed (Icm)
22 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 4A
Switching Energy
73µJ (on), 47µJ (off)
Gate Charge
12 nC
Td (on/off) @ 25°C
22ns/100ns
Other Names
63-2004PBF,SP001541856,63-2004PBF-ND,2156-IRGS4B60KD1PBF-IT,IFEINFIRGS4B60KD1PBF,*IRGS4B60KD1PBF
Base Product Number
IRGS4B60KD1PBF
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
50
Mounting Type
Surface Mount
Reverse Recovery Time (trr)
93 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFH5206TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 16A/89A 8PQFN, N-Channel 60 V 16A (Ta), 89A (Tc) 3.6W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: IRF2804
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB, N-Channel 40 V 75A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSC0802LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON, N-Channel 100 V 20A (Ta), 100A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: BSB014N04LX3GXUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BSB014N04 - TRENCH <= 40V, N-Channel 40 V 36A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Подробнее
Артикул: IRL3715
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB, N-Channel 20 V 54A (Tc) 3.8W (Ta), 71W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FS200R12PT4
Бренд: Infineon Technologies
Описание: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT
Подробнее