г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR166 Infineon Technologies

Артикул
BCR166
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Цена
3 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR166.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
3,000
Other Names
INFINFBCR166,2156-BCR166
HTSUS
8541.21.0075
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC070N10NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8, N-Channel 100 V 90A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: IRF7526D1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8, P-Channel 30 V 2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro8™
Подробнее
Артикул: SI4435DYPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO, P-Channel 30 V 8A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF2805PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB, N-Channel 55 V 75A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG7PK35UD1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1400V 40A 167W TO247AC, IGBT - 1400 V 40 A 167 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF7478TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 7A 8SO, N-Channel 60 V 7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее